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扩散炉的发展历程

点击数:50332015-11-24 14:10:54 来源: 青岛福润德微电子设备有限公司

新闻摘要:扩散炉主要应用于集成电路、分立器件、光电子器件、太阳能电池等领域,那么,关于扩散炉的发展历程如何呢?它是从何时出现的呢?

扩散炉主要应用于集成电路、分立器件、光电子器件、太阳能电池等领域,那么,关于扩散炉的发展历程如何呢?它是从何时出现的呢?
     1965年以前,这是扩散炉出现阶段,扩散炉随着半导体工艺的产生而出现,这一阶段的国产扩散炉水平与国外水平差距不大。
     1965~1976年,这是扩散炉功能被逐步完善的阶段。这个阶段是器件半导体进入集成电路时代,因而对工艺设备的功能提出了许多新的要求。为适应工艺要求,在此阶段逐渐配备了工艺气路系统,送片系统以及净化台等,炉管口径逐渐加大,可处理3英寸硅片。
      1976~1987年,这是扩散炉在技术上的成熟阶段。这期间半导体工艺进入VLSI时代,在1983年6英寸生产线已经建立。1987年微细加工的特征尺寸已达到1μm,设备的更新周期大大缩短,为满足工业生产技术发展的要求,扩散炉技术性能持续改善提高,主要表现形式是硅片尺寸增大,颗粒污染控制更严格,工艺参数控制更加精确,已经实现温度曲线和工艺时序的全自动控制,设备可靠性有很大提高,卧式扩散炉技术趋于成熟。
      1987年至今,微细加工线宽由1μm发展到0.25μm以下,硅片直径已经增大到8英寸,已经建立了8英寸生产线。传统扩散炉在满足工艺要求方面面临很大困难,为解决这些困难,适应工艺进步要求国外出现了立式扩散/氧化炉。
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